? ? ? 晶(jing)(jing)(jing)圓測(ce)(ce)(ce)試是(shi)對(dui)晶(jing)(jing)(jing)圓上(shang)的(de)每(mei)個(ge)晶(jing)(jing)(jing)粒(li)進行(xing)針測(ce)(ce)(ce)，測(ce)(ce)(ce)試其電氣(qi)特性。測(ce)(ce)(ce)試時，晶(jing)(jing)(jing)圓被(bei)固定(ding)在探針臺的(de)托盤上(shang)，探針與芯片的(de)每(mei)一個(ge)PAD點相接觸，測(ce)(ce)(ce)試機對(dui)芯片進行(xing)電性和(he)(he)功能測(ce)(ce)(ce)試并記錄下結果，區分(fen)良品(pin)和(he)(he)不(bu)良品(pin)。具備(bei)12吋(cun)、8吋(cun)、6吋(cun)、5吋(cun)和(he)(he)4吋(cun)晶(jing)(jing)(jing)圓測(ce)(ce)(ce)試能力(li)，包含17nm、22nm、28nm等(deng)先(xian)進制(zhi)程(cheng)以(yi)及28nm以(yi)上(shang)晶(jing)(jing)(jing)圓的(de)全部成熟制(zhi)程(cheng)。能夠測(ce)(ce)(ce)試指紋識別(bie)、消防安全、藍牙、電源管理(li)、MCU、濾波器、光通信等(deng)多種應用類型。

晶圓(yuan)測試流程：

測試設備：V93K、J750HD、D10、NI STS T4、S100、S50、STS8200、T862、TR6850S、TR6836S、Chroma3360D/3360P/3380、V50、TQT500、JC5600、SC312、T5503/5371、DST1000
探針臺：UF3000、UF200SA
晶圓測試 MAPPING圖分BIN 定義功能
光電芯片，CMOS SENSOR測試能力